中硅高科两项半导体资料科技成就获评国际当先

作者：颁布功夫：2026年05月21日浏览次数：

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　　近日，中硅高科牵头实现的两项半导体资料技术通过院士专家组评审，整体达到国际当先水平。

　　其中，“宽禁带半导体用超高纯碳化硅资料造备关键技术”初创气相法工艺，建成国内首条年产300吨出产线，整体达到国际当先水平。“集成电路用电子级六氯乙硅烷造备关键技术」佧体达到国际先进水平，颗粒度节造达到国际当先水平。这标志取我国第三代半导体及高纯电子特气领域国产化实现沉大突破。

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